頂點(diǎn)光電子商城6月26日消息：近日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。
SiC是指碳化硅，它是一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。8英寸SiC是指直徑為8英寸（200mm）的SiC晶圓，是生產(chǎn)SiC功率器件的主要材料之一。
國內(nèi)的8英寸SiC晶圓生產(chǎn)線受到了不少關(guān)注，因?yàn)樗梢蕴岣邍鴥?nèi)碳化硅材料制造的自主性。2018年，國內(nèi)首條8英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和晶圓芯片制造線在中國建成投產(chǎn)，生產(chǎn)的 SiC晶圓直徑達(dá)到了8英寸，可以制造的功率器件范圍更廣，包括高電壓、大電流的功率器件和更高集成度的邏輯芯片。這是國內(nèi)首個(gè)具有完整自主知識產(chǎn)權(quán)的 SiC半導(dǎo)體材料生產(chǎn)線。
尺寸、厚度方面，科友半導(dǎo)體8英寸SiC實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
缺陷密度方面，科友半導(dǎo)體6英寸晶體位錯(cuò)缺陷密度＜3000個(gè)cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個(gè)cm-2，位錯(cuò)缺陷密度＜5000個(gè)cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
生長速率方面，科友半導(dǎo)體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術(shù)，長晶速率已達(dá)到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設(shè)備每月運(yùn)轉(zhuǎn)約6-7爐次。
產(chǎn)品良率方面，科友半導(dǎo)體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。
科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。
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