商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11135-256DD
商品型號：G11135-256DD
品牌：濱松光子
封裝規(guī)格：Metal
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：4個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數(shù)量：1000 個
單價：
濱松 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11135-256DD
線陣（256像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器
G11135系列是為異物檢測設(shè)備而設(shè)計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。該傳感器由銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片組成，CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大陣列、偏執(zhí)補償電路、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片由銦球連接。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉(zhuǎn)換效率（CE），以滿足不同的應(yīng)用需要。
產(chǎn)品特性
● 線陣（256像素）
● 高速數(shù)據(jù)率：最大5 MHz
● 兩種轉(zhuǎn)換率可選
● 像素尺寸：50 × 50 μm
● 內(nèi)置溫度傳感器
● 像素之間的線性度差異小
● 低成本
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 50 x 50 μm |
| 像素間距 | 50 μm |
| 總像素個數(shù) | 256 |
| 封裝 | Ceramic |
| 幀頻 (最大值) | 14000 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光譜響應(yīng)范圍 | 950 - 1700 nm |
| 暗電流（典型） | 2.5 pA |
| 測試條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
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