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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器/濱松光子/銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11620-256DF

商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11620-256DF

商品型號(hào)：G11620-256DF

數(shù)據(jù)手冊：

品牌：濱松光子

封裝規(guī)格：Ceramic

商品類別：

二級(jí)分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器

商品批號(hào)：

貨期：4個(gè)月

商品編號(hào)：

商品重量：0.1kg

庫存數(shù)量：1000 個(gè)

單價(jià)：￥ 1000000.0000 詢價(jià)

訂購量：

產(chǎn)品詳情
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銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11620-256DF

線陣（256像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器

G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設(shè)計(jì)的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時(shí)序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號(hào)處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個(gè)CMOS芯片。這種結(jié)構(gòu)降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個(gè)像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個(gè)像素的信號(hào)在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號(hào)處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級(jí)的轉(zhuǎn)換效率，以滿足不同的應(yīng)用需要。

產(chǎn)品特性

● 低噪聲，低暗電流

● 兩種轉(zhuǎn)換率可選

● 抗飽和電路

● CDS電路

● 內(nèi)置溫度傳感器

● 操作簡單（通過內(nèi)置時(shí)序產(chǎn)生器）

● 高分辨率:25μm 間距

詳細(xì)參數(shù)

圖像尺寸	6.4 x 0.5 mm
像素尺寸	25 x 500 μm
像素間距	25 μm
總像素個(gè)數(shù)	256 pixels
封裝	Ceramic
幀頻 (最大值)	17200 lines/s
制冷方式	Non-cooled
光譜響應(yīng)范圍	950 to 1700 nm
暗電流（最大值）	5 pA
測試條件	unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP,Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz

光譜響應(yīng)

外形尺寸（單位：mm）

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