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         頂點光電子商城2023年10月8日消息：近日，株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約儀式。

         順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目位于田心高科園，主要生產工業(yè)調頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發(fā)電用IGBT模塊等。該項目總投資7.5億元，預計在今年年底啟動建設，明年上半年正式投產，建成達產400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預計年產值8億元。

        IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和SiC（Silicon Carbide）功率半導體模塊都是用于功率電子應用的關鍵元件，它們各自具有一些特定的特性和應用領域。

         IGBT（絕緣柵雙極晶體管）功率半導體模塊：特性：IGBT是一種晶體管，它結合了MOSFET和雙極晶體管的特性。它具有高輸入阻抗，可以通過控制電流來控制電壓。IGBT模塊通常操作電壓較低，適用于低到中等功率范圍。應用：IGBT模塊常用于電機控制、逆變器、電動汽車驅動器、電磁感應加熱等領域。其特點包括可靠性高、成本相對較低。

          SiC（碳化硅）功率半導體模塊：  特性：碳化硅（SiC）是一種新型的半導體材料，相比傳統的硅半導體具有更高的電子遷移速度和熱導率，使得SiC器件能夠在高溫和高電壓條件下工作。SiC功率模塊具有更高的功率密度、更高的效率和更快的開關速度。應用：SiC功率模塊廣泛用于高性能電力電子應用，如電動汽車充電器、太陽能逆變器、電力電子轉換器等。它們能夠減小體積、提高效率，適用于高頻和高溫環(huán)境。

          總之，IGBT和SiC功率半導體模塊都在不同的應用中發(fā)揮著關鍵作用。