前不久，臺積電公布了1.8nm的新進程，并說預(yù)期將會在2026年出片。這一消息在當時發(fā)出的時候引起行內(nèi)熱議，但大多數(shù)人都是采取觀望態(tài)度，因為以目前的技術(shù)暫時沒有辦法讓芯片的尺寸突破2nm。
而近日，ASML宣布的新的EUV設(shè)備即將把突破2nm變成可能。
根據(jù)ASML副總裁接受采訪所放出來的消息看，ASML將于2023年推出一款全新的EUV，孔徑（NA）將會達到0.55，在ASML看來，這個0.55NA的EUV設(shè)備將會讓世界芯片的制程突破2nm。
根據(jù)他們的看法，實際上3nm芯片的工藝是受到了晶體管密度所制約的，因為3nm與4nm所使用的孔徑?jīng)]有太大的不同，因此他們認為臺積電即將推出的3nm芯片可能延期也是因為在性能上較于4nm沒有太大的提高，在尋求突破上或許遇到了一些棘手的問題。
以目前的技術(shù)，根據(jù)臺積電和三星制造3nm芯片的工藝上看，他們都是使用目前ASML最先進的0.33NA再加上多重圖形技術(shù)，但是多重圖形技術(shù)不僅容易消耗大量EUV機器的能量，還會導(dǎo)致芯片成本上升，因此肯定不是一個長久之計。
而0.55NA可以讓半導(dǎo)體公司在生產(chǎn)3nm甚至更小尺寸的芯片時，不需要使用多重圖形技術(shù)就可以進行生產(chǎn)。
但按照ASML的意思來看，0.55NA與0.33NA需要同時進行使用，因為兩臺機器可以負責(zé)不同的步驟從而提高生產(chǎn)的速度，他們認為0.33NA也會參與到2nm及以下的芯片制造當中。
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