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ST意法半導(dǎo)體規(guī)?;慨a(chǎn)SWIR圖像傳感器 成本可壓縮到一美元左右

        最近,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)在一次行業(yè)會(huì)議上展示了一款量子點(diǎn)短波紅外(SWIR)圖像傳感器,該圖像傳感器采用的是全局快門,像素間距為1.62μm。


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        量子點(diǎn)(quantum dot,簡(jiǎn)稱QD)是人造的直徑在2-10nm之間的半導(dǎo)體納米晶體。量子點(diǎn)擁有獨(dú)特的光電特性,其尺寸很小,足以產(chǎn)生量子效應(yīng),可以通過改變波長(zhǎng)或顏色來調(diào)節(jié)能級(jí)。通過改變量子點(diǎn)的尺寸,還可以是量子點(diǎn)顆粒吸收或者發(fā)射特定波長(zhǎng)的光。


        意法半導(dǎo)體展示的這款QD SWIR圖像傳感器在1400nm的波長(zhǎng)下,量子效率可以達(dá)到60%,快門效率接近100%(真實(shí)值為99.98%)。值得一提的是,這款圖像傳感器是在300mm晶圓上制造,也就是說,采用的是成熟的工藝制程,因此能夠以較低的成本進(jìn)行規(guī)模化量產(chǎn)。據(jù)意法半導(dǎo)體透露,這款圖像傳感器的成本可以被壓縮到一美元左右,這已經(jīng)接近有些硅基圖像傳感器的成本了。


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意法半導(dǎo)體的QF驗(yàn)證晶圓,展示了基本QF光電二極管測(cè)試結(jié)構(gòu)(a)、像素矩陣測(cè)試芯片(b)和完整圖像傳感器產(chǎn)品(c)


        由于在短波紅外的波長(zhǎng)范圍內(nèi),InGaAs材料比硅材料具有更好的光譜響應(yīng),因此,目前市面上應(yīng)用最多的是采用InGaAs制成的SWIR圖像傳感器。InGaAs銦鎵砷圖像傳感器的最大問題是成本高昂,一顆的成本就可能高達(dá)幾百到幾千美元。量子點(diǎn)技術(shù)的出現(xiàn),可以很好的解決成本問題。比如,可以對(duì)采用膠體碳量子點(diǎn)(CQD)技術(shù)的圖像傳感器進(jìn)行適配,使其對(duì)短波紅外光(SWIR)敏感,同時(shí)還能降低成本。


        正是因?yàn)榭梢越档统杀?,碳量子點(diǎn)(CQD)短波紅外(SWIR)成像技術(shù)在最近幾年的發(fā)展非常迅速。意法半導(dǎo)體的這款圖像傳感器,正是該技術(shù)領(lǐng)域的最新產(chǎn)品。雖然目前市面上提供CQD SWIR圖像傳感器的廠商不止意法半導(dǎo)體一家,比如像Emberion、Imec(比利時(shí)微電子研究中心)和SWIR Vision Systems等,但是,卻只有意法半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化量產(chǎn)。正是由于意法半導(dǎo)體的規(guī)?;慨a(chǎn),才使包括消費(fèi)電子在內(nèi)的大批應(yīng)用,有機(jī)會(huì)使用SWIR成像技術(shù),而且成本還不貴。


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意法半導(dǎo)體的SWIR量子薄膜光電二極管在優(yōu)化的層厚下,其量子效率峰值可以超過60%


        也就是說,意法半導(dǎo)體使其客戶可以用硅基圖像傳感器的成本,享受SWIR成像技術(shù),可想而知,這將會(huì)對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生多么大的顛覆性。正是由于其成本低廉,相比InGaAs銦鎵砷圖像傳感器市場(chǎng),CQD SWIR圖像傳感器市場(chǎng)的體量和影響將會(huì)更大。


        意法半導(dǎo)體基于硫化鉛的量子點(diǎn)薄膜,是在晶圓階段利用溶液制作,一步一步通過沉淀,融合進(jìn)CMOS工藝之中的。意法半導(dǎo)體CQD SWIR圖像傳感器的最大缺點(diǎn)是,量子效率比不上InGaAs銦鎵砷圖像傳感器,與其他廠商的CQD傳感器相比,在性能上也沒有很大的提升。但意法半導(dǎo)體解決了一個(gè)非常現(xiàn)實(shí)的問題,那就是成本問題,這會(huì)增加許多之前不曾有的應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)生活方式和工業(yè)生產(chǎn)產(chǎn)生變革作用。