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納微半導體推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管

          近日,納微半導體宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管,可有效滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電機驅動、太陽能和消費電子等要求嚴格的應用需求。


         該款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS?)二極管采用獨特的PiN-Schottky結構,提供低內置電壓偏置(低門檻電壓)以實現(xiàn)在各種負載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應用領域包括服務器/電信電源的PFC電路、工業(yè)電機驅動、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。


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         此外,該SiC功率二極管采用表貼封裝(QFN,D2-PAK)和插件(TO-220,TO-247)封裝形式,GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應用范圍,并適用于多種電路。


         納微半導體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導體產(chǎn)品。


        氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅動、控制和保護集成在一起,為移動設備、消費產(chǎn)品、企業(yè)、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。作為立足于中國本土的、全球領先的氮化鎵功率芯片公司,納微半導體目前已經(jīng)拿下超過200多項專利,超過3000萬個GaNFast功率芯片已經(jīng)發(fā)貨,沒有任何關于納微氮化鎵功率芯片的現(xiàn)場故障報告。


          此前,2021年10月20日,納微半導體敲響了納斯達克的開市鐘,并開始在納斯達克交易,企業(yè)價值超過10億美元,總融資額超過3.2億美元。


         未來,納微半導體會不斷進步,推出了新的氮化鎵功率芯片,為氮化鎵技術的發(fā)展翻開新篇章。