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           頂點(diǎn)光電子商城7月27日消息：近日，東芝公司發(fā)布了一款正向電壓為1.2V的SiC 650V肖特基二極管。

          肖特基二極管是一種特殊類(lèi)型的二極管，它使用SiC材料制成，具有低正向電壓和快速開(kāi)關(guān)特性。碳化硅作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的高溫性能和電特性，是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的二極管,，因此肖特基二極管在高功率應(yīng)用中具有重要的作用。

           新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產(chǎn)品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時(shí)提高了設(shè)備效率。

          這種二極管采用了碳化硅（SiC）材料，具有較低的漏電流和較高的開(kāi)關(guān)速度。由于SiC材料的特殊性質(zhì)，這種肖特基二極管在高溫和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色，專(zhuān)用于包括開(kāi)關(guān)電源、電動(dòng)汽車(chē)充電站以及光伏逆變器等效率關(guān)鍵型工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。

            這款新產(chǎn)品的發(fā)布有望推動(dòng)SiC技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用。