頂點(diǎn)光電子商城2024年3月4日消息:近日,三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充(MUF)技術(shù)。
據(jù)報(bào)道,三星最近對(duì)其3D堆棧(3DS)內(nèi)存進(jìn)行了大規(guī)模的MR MUF工藝測(cè)試。與現(xiàn)有的熱壓非導(dǎo)電膜(TC NCF)相比,MUF工藝在吞吐量方面有所提高,但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。因此,經(jīng)過(guò)測(cè)試和研究,三星得出結(jié)論,MUF技術(shù)不適用于高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品,但非常適合3DS RDIMM。3DS RDIMM主要采用硅通孔(TSV)技術(shù)制造,并主要用于服務(wù)器產(chǎn)品。
MUF是一種環(huán)氧樹(shù)脂模塑化合物,有助于緊密凝固和結(jié)合各種垂直堆疊的半導(dǎo)體。三星計(jì)劃與子公司三星SDI合作開(kāi)發(fā)適用于DRAM的MUF化合物,并已經(jīng)從日本訂購(gòu)了相關(guān)設(shè)備,以推進(jìn)到下一階段,實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的封裝工藝,并提高生產(chǎn)效率。
然而,目前三星仍將繼續(xù)在HBM生產(chǎn)中使用TC NCF技術(shù)。同時(shí),競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也打算繼續(xù)使用TC NCF技術(shù)。盡管MUF材料被認(rèn)為在避免晶圓翹曲方面更具優(yōu)勢(shì),但尚不清楚三星是否會(huì)最終選擇引入MUF技術(shù)。