頂點光電子商城2024年6月19日消息：近日，三星計劃在2027年推出多項先進(jìn)技術(shù)，這些技術(shù)包括1.4nm工藝、BSPDN背面供電以及硅光子技術(shù)。
三星預(yù)計在2027年實現(xiàn)1.4nm（納米）工藝技術(shù)的量產(chǎn)。這一技術(shù)節(jié)點代表著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步微縮，有助于提高芯片的性能和能效。準(zhǔn)備工作“進(jìn)展順利，性能和良率目標(biāo)均已如期實現(xiàn)”，表明三星在材料和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新方面取得了顯著進(jìn)展，正積極塑造未來低于1.4nm的工藝技術(shù)。
BSPDN（背部供電網(wǎng)絡(luò)）技術(shù)是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體技術(shù)，它將電源軌置于晶圓背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸。這種技術(shù)可以顯著提高功率、性能和面積（PPA）效率，并降低電壓降（IR降），從而提高高性能計算（HPC）設(shè)計的性能。三星計劃在2027年將BSPDN技術(shù)應(yīng)用于其1.4nm工藝中，這是該公司首次將BSPDN技術(shù)應(yīng)用于如此先進(jìn)的工藝節(jié)點。
新增就業(yè)崗位1200個，對地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有積極推動作用。該項目的建成能提升國產(chǎn)化功率器件競爭實力，降低對國外產(chǎn)品的依賴。
三星還計劃在2027年推出硅光子技術(shù)。硅光子技術(shù)是一種在芯片上利用光纖傳輸數(shù)據(jù)的技術(shù)，相比傳統(tǒng)線纜/電路可以大幅提升I/O數(shù)據(jù)傳輸速度。這是三星首次宣布采用硅光子技術(shù)，該技術(shù)的引入將進(jìn)一步增強三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。
此外，三星還計劃在2027年實現(xiàn)第四代2nm芯片的量產(chǎn)，并在2025年量產(chǎn)升級版4nm硅芯片。這些計劃展示了三星在半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的持續(xù)投入和領(lǐng)先地位。
綜上所述，三星在2027年推出的1.4nm工藝、BSPDN背面供電及硅光子技術(shù)將進(jìn)一步提升其半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能、能效和數(shù)據(jù)傳輸速度，鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
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