頂點光電子商城2024年6月27日消息：近日，BAE Systems和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，這一合作的重點在于加強(qiáng)美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。
BAE Systems和GlobalFoundries的合作旨在增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略。雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。
合作涵蓋了多個領(lǐng)域，包括先進(jìn)半導(dǎo)體封裝和集成、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、硅光子學(xué)和先進(jìn)技術(shù)工藝開發(fā)。這些領(lǐng)域都是半導(dǎo)體行業(yè)的前沿技術(shù)，對于提高芯片性能、降低成本和增強(qiáng)安全性具有重要意義。
氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有出色的高頻性能和高溫工作能力。它在無線通信、功率電子、光電子等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。通過與GlobalFoundries的合作，BAE Systems將進(jìn)一步利用其專業(yè)技術(shù)在氮化鎵領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)和創(chuàng)新。
值得注意的是，由于美國芯片和科學(xué)法案的推動，BAE Systems和GlobalFoundries近期都收到了美國政府的直接資助。這些資金將有助于推動雙方的合作項目，加速氮化鎵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。
這項非獨家性新合作建立在BAE Systems與GlobalFoundries長期合作關(guān)系的基礎(chǔ)上。雙方將進(jìn)一步匯集各自在關(guān)鍵國防系統(tǒng)微電子領(lǐng)域和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)，共同推動美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
總之，BAE Systems和GlobalFoundries的合作伙伴關(guān)系將加強(qiáng)美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)，推動氮化鎵等前沿技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。同時，這也將為雙方帶來更大的商業(yè)機(jī)會和市場競爭力。
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