頂點光電子商城2024年7月23日消息：美光MRDIMM（multiplexed rank dual inline memory module，多重訪問雙列直插式內(nèi)存模塊）正式送樣，并宣稱可提升帶寬39%、降低延遲40%。
美光MRDIMM作為新一代的內(nèi)存模組，旨在滿足日益嚴苛的內(nèi)存需求，特別是在虛擬化多租戶、高性能計算（HPC）和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。與現(xiàn)有的硅通孔型（TSV）RDIMM相比，MRDIMM在帶寬、容量、延遲和每瓦性能等方面均有所提升。
MRDIMM相較于同代產(chǎn)品，其內(nèi)存有效帶寬可提升多達39%。這一提升將顯著提升系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力，加速內(nèi)存密集型應(yīng)用的執(zhí)行。延遲方面，MRDIMM能夠降低高達40%的延遲。更低的延遲意味著系統(tǒng)響應(yīng)更快，能夠更好地支持實時處理和高速計算任務(wù)。MRDIMM還具備總線效率提高15%以上的優(yōu)勢，這有助于提升系統(tǒng)的整體運行效率。支持從32GB到256GB的容量范圍，適用于不同規(guī)模的數(shù)據(jù)中心工作負載。采用標準和高外形（TFF）設(shè)計，適用于高性能的1U和2U服務(wù)器。TFF模塊的改進散熱設(shè)計能夠在相同功率和氣流下將DRAM溫度降低多達20攝氏度，提升數(shù)據(jù)中心的冷卻效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
MRDIMM主要面向?qū)?nèi)存帶寬和容量有極高要求的市場，如AI推理、AI再訓(xùn)練和高性能計算等領(lǐng)域。當(dāng)前送樣的MRDIMM系列第一代產(chǎn)品可以與Intel Xeon 6處理器兼容，為客戶提供靈活性和選擇。此外，MRDIMM還支持標準DIMM，確保與現(xiàn)有服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施的無縫集成。
美光MRDIMM現(xiàn)已上市，并計劃于2024年下半年開始大量出貨。與同代RDIMM相比，后續(xù)幾代MRDIMM將繼續(xù)提供高達45%的每通道內(nèi)存帶寬提升，滿足未來計算系統(tǒng)對內(nèi)存性能的不斷增長需求。
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