頂點光電子商城2024年11月6日消息：據(jù)多家媒體報道，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛要求SK海力士提前六個月供應(yīng)下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4。
SK海力士原計劃在2025年下半年推出首批采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊的HBM將在稍晚于2026年推出。
SK海力士的創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官崔泰源確認(rèn)了英偉達的要求，并表示公司將盡力滿足這一需求。為了滿足提前供應(yīng)的要求，SK海力士可能需要調(diào)整其生產(chǎn)計劃，加快HBM4的研發(fā)和量產(chǎn)進程。SK海力士與臺積電在HBM內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片方面有著密切的合作。雙方已簽署合作諒解備忘錄，并計劃共同設(shè)計和生產(chǎn)HBM4系列的部分產(chǎn)品。此外，英偉達也參與其中，負(fù)責(zé)提供產(chǎn)品設(shè)計。
提前供應(yīng)HBM4可能會對SK海力士的生產(chǎn)計劃、研發(fā)資源和供應(yīng)鏈管理等方面帶來一定的挑戰(zhàn)。然而，這也可能為公司帶來更多的市場份額和利潤增長機會。提前獲得HBM4將有助于英偉達在競爭激烈的AI芯片市場中保持領(lǐng)先地位，并為其下一代產(chǎn)品提供更強大的內(nèi)存支持。SK海力士與英偉達之間的緊密合作可能會推動整個半導(dǎo)體行業(yè)在HBM技術(shù)方面的進一步發(fā)展和創(chuàng)新。
SK海力士提前6個月向英偉達供應(yīng)HBM4是半導(dǎo)體行業(yè)中的一次重要事件。這一事件不僅體現(xiàn)了英偉達對高性能內(nèi)存芯片的迫切需求，也展示了SK海力士在HBM技術(shù)方面的領(lǐng)先地位和強大實力。同時，這一事件也將對整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新產(chǎn)生積極的影響。
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