頂點光電子商城2024年12月25日消息：隨著尖端代工廠2025年開始使用2nm工藝節(jié)點量產(chǎn)芯片，半導(dǎo)體領(lǐng)域正在上演一場激烈的競爭。
臺積電已規(guī)劃在新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，并已完成2nm制程晶圓的試生產(chǎn)工作，試生產(chǎn)良品率高達(dá)60%，大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期目標(biāo)。公司積極推進(jìn)在2025年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)，預(yù)計2025年第二季度小規(guī)模量產(chǎn)。臺積電在2nm訂單方面領(lǐng)先于英特爾和三星代工廠。除了最大客戶蘋果已全部簽約2026年的2nm產(chǎn)能外，臺積電的客戶如HPC（高性能計算）制造商、人工智能（AI）、芯片制造商和移動芯片制造商也都參與其中。其他表示希望搭上購買臺積電2nm產(chǎn)能的知名公司包括AMD、英偉達(dá)、聯(lián)發(fā)科和高通。臺積電在3nm工藝制程上選擇繼續(xù)在FinFET結(jié)構(gòu)上優(yōu)化，取得了良好的良率和市場表現(xiàn)。在2nm工藝上，臺積電也展現(xiàn)了強(qiáng)大的技術(shù)實力，試生產(chǎn)良品率超出預(yù)期。
三星也計劃在2025年推出2納米級的SF2節(jié)點，并為此進(jìn)行了大量的研發(fā)工作。三星計劃在2025年首先于移動終端量產(chǎn)2納米制程芯片，隨后在2026年用于高性能計算（HPC）產(chǎn)品，并于2027年擴(kuò)大至車用芯片。三星在3nm工藝制程上采用了GAAFET架構(gòu)，但由于開發(fā)難度過大且時間緊迫，其3nm試生產(chǎn)的良率不足20%，無法滿足量產(chǎn)需求。這一經(jīng)驗對三星在2nm工藝上的研發(fā)也帶來了一定的挑戰(zhàn)。盡管三星在2nm工藝上面臨一些挑戰(zhàn)，但它仍在積極擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足未來市場的需求。然而，按照三星電子的規(guī)劃，其2nm產(chǎn)能至少要到2027年才能量產(chǎn)。
英特爾也加入了2納米制程的戰(zhàn)局，并計劃在2025年開始量產(chǎn)Intel 18A（即2納米）芯片。然而，由于公司內(nèi)部的一些動蕩和良率問題，英特爾的量產(chǎn)時間可能存在一定的不確定性。英特爾在Intel 18A工藝中引入了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)，這些技術(shù)有望提高芯片的性能和能效。然而，與臺積電和三星相比，英特爾在2nm工藝上的技術(shù)實力仍需進(jìn)一步驗證。到目前為止，亞馬遜AWS是唯一一家簽約英特爾A18工藝節(jié)點的知名公司。客戶名單的規(guī)模相對較小，也增加了英特爾在2nm工藝量產(chǎn)方面的不確定性。
臺積電在2nm工藝上展現(xiàn)了強(qiáng)大的技術(shù)實力，試生產(chǎn)良品率超出預(yù)期。三星雖然也在積極研發(fā)2nm工藝，但其在3nm工藝上的經(jīng)驗表明，其面臨一定的技術(shù)挑戰(zhàn)。英特爾則處于技術(shù)轉(zhuǎn)型期，其2nm工藝的技術(shù)實力仍需進(jìn)一步驗證。臺積電在2nm訂單方面領(lǐng)先于英特爾和三星代工廠。其客戶涵蓋了蘋果、AMD、英偉達(dá)、聯(lián)發(fā)科和高通等知名公司。相比之下，三星和英特爾的客戶訂單規(guī)模較小。臺積電已規(guī)劃了多座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，并計劃在2025年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。三星則計劃到2027年才能實現(xiàn)2nm產(chǎn)能的量產(chǎn)。英特爾的量產(chǎn)時間也存在一定的不確定性。
綜上所述，臺積電在2nm芯片量產(chǎn)方面具有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，而三星和英特爾則面臨一定的挑戰(zhàn)和不確定性。然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的不斷發(fā)展，未來競爭格局仍有可能發(fā)生變化。
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