頂點(diǎn)光電子商城2025年1月6日消息：據(jù)報(bào)道，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的內(nèi)存業(yè)務(wù)部最近完成了HBM4高頻寬內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計(jì)。這一設(shè)計(jì)標(biāo)志著三星在HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）技術(shù)上的又一次重要突破。為了制造這款邏輯芯片，三星選擇了自家的4納米制程技術(shù)，這一技術(shù)能夠提供更小的線寬和更高的晶體管密度，從而實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更強(qiáng)大的性能。
HBM4將DRAM Base Die改成了Logic Base Die（邏輯基礎(chǔ)裸片），這一改變有助于推動(dòng)性能和能效的進(jìn)一步提升。Logic Base Die位于DRAM的底部，主要充當(dāng)GPU和內(nèi)存之間的一種控制器。與之前的Base Die不同，Logic Base Die可以讓客戶自行設(shè)計(jì)，并加入客戶自己的IP，這有利于HBM實(shí)現(xiàn)定制化，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。
4納米制程工藝的使用使得芯片能夠擁有更快的運(yùn)算速度、更低的功耗和更高的能效。此外，4納米芯片還可以提供更好的散熱性能和更小的體積，這對于高性能計(jì)算和人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用尤為重要。HBM4有望采用16層堆疊導(dǎo)入無凸塊混合鍵合技術(shù)，這能夠進(jìn)一步縮小芯片尺寸并提高性能?；旌湘I合是一種通過銅堆疊芯片的工藝，無需使用傳統(tǒng)方式連接芯片的“凸塊”，從而提高了芯片的連接密度和可靠性。
隨著人工智能、高性能計(jì)算和圖形處理等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高帶寬存儲器的需求日益增加。HBM4作為最新一代的高帶寬存儲器，具有廣闊的市場前景。
三星HBM4可能被用于微軟此前發(fā)布的AI芯片“Maia 100”以及Meta的Artemis AI芯片中。這對于正急于開拓AI市場、縮小與SK海力士之間差距的三星來說是一個(gè)好消息。此外，特斯拉也在尋求獲得即將推出的HBM4內(nèi)存芯片的樣品，以加快其“全自動(dòng)駕駛”神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練速度。
三星試圖在HBM4上采取更積極的路線，以挽回HBM3E流失的HBM市場占有率。通過采用先進(jìn)的4納米制程技術(shù)和提供定制化的Logic Base Die，三星旨在滿足客戶的多樣化需求。
目前，三星和SK海力士是全球主要的HBM供應(yīng)商。隨著HBM4技術(shù)的推出，兩家公司之間的競爭將更加激烈。SK海力士正在與臺積電實(shí)施戰(zhàn)略捆綁，靠臺積電的5納米工藝推動(dòng)HBM4的Base die設(shè)計(jì)制造。而三星則依靠自家的4納米制程技術(shù)取得了領(lǐng)先。然而，最終的競爭結(jié)果將取決于產(chǎn)品的性能、功耗、成本以及客戶的接受程度。
綜上所述，三星完成HBM4邏輯芯片設(shè)計(jì)并采用自家4納米制程技術(shù)標(biāo)志著三星在HBM技術(shù)上的又一次重要突破。這一技術(shù)突破將有助于三星滿足市場對高帶寬存儲器的需求，并在競爭中保持領(lǐng)先地位。
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