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       頂點(diǎn)光電子商城2025年2月17日消息：近期，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品，這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在英飛凌位于奧地利菲拉赫的工廠生產(chǎn)。

        這批8英寸SiC產(chǎn)品專(zhuān)為包括可再生能源、火車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)。英飛凌在SiC技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用上邁出了關(guān)鍵步伐，這批產(chǎn)品有望大幅提升相關(guān)領(lǐng)域的能源效率和性能表現(xiàn)，特別是在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，英飛凌正不斷拓展其合作網(wǎng)絡(luò)，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

         英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的制造基地正順利實(shí)現(xiàn)從150毫米晶圓到200毫米晶圓的轉(zhuǎn)換。新建的Module 3廠房已準(zhǔn)備就緒，將根據(jù)市場(chǎng)需求啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。居林工廠初期將以6英寸晶圓生產(chǎn)為主，計(jì)劃逐步過(guò)渡到2027年的8英寸晶圓生產(chǎn)。菲拉赫與居林工廠的200毫米SiC改造項(xiàng)目完成后，英飛凌預(yù)計(jì)SiC業(yè)務(wù)的年?duì)I收有望達(dá)到約70億歐元。

         英飛凌在SiC技術(shù)研發(fā)方面持續(xù)投入，推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，這是第二代（G2）CoolSiC?技術(shù)的升級(jí)版，具有超低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，為數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的能源高效利用提供了有力支持。英飛凌已獲得約50億歐元的新設(shè)計(jì)訂單以及來(lái)自現(xiàn)有和新客戶(hù)的10億歐元左右的預(yù)付款，用于廠房的持續(xù)擴(kuò)建。

         英飛凌強(qiáng)調(diào)居林工廠與菲拉赫生產(chǎn)基地之間的協(xié)同發(fā)展，形成了一個(gè)專(zhuān)注于寬帶隙（WBG）技術(shù)的“虛擬協(xié)同工廠”，共享技術(shù)和工藝，實(shí)現(xiàn)快速量產(chǎn)和平穩(wěn)高效的運(yùn)營(yíng)。英飛凌設(shè)定了到2030年占據(jù)全球30% SiC市場(chǎng)份額的宏偉目標(biāo)。

        綜上所述，英飛凌首批8英寸SiC產(chǎn)品的問(wèn)世標(biāo)志著該公司在SiC技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用上取得了重要突破，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能源效率和性能表現(xiàn)。同時(shí)，英飛凌在生產(chǎn)布局、技術(shù)創(chuàng)新、訂單情況以及未來(lái)展望等方面均展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭和廣闊的市場(chǎng)前景。