頂點光電子商城2025年2月18日消息：近日，英飛凌推出了首批采用200毫米晶圓制造的SiC（碳化硅）器件。
在半導體制造領域，從較小的晶圓（如150毫米）過渡到更大的晶圓（如200毫米）面臨著重重技術挑戰(zhàn)。然而，這一過渡對于降低器件成本、提高生產(chǎn)效率具有重要意義。英飛凌科技股份公司作為全球領先的半導體供應商，在200毫米SiC技術研發(fā)方面取得了重要突破。公司計劃并于2025年第一季度向客戶交付首批基于200毫米SiC晶圓技術的產(chǎn)品。
這批產(chǎn)品由英飛凌位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造。與此同時，英飛凌位于馬來西亞居林的另一重要生產(chǎn)基地也在積極推動生產(chǎn)工藝的升級，從150毫米晶圓向200毫米晶圓過渡。新建的第三模塊（Module 3）按計劃推進，預計將在未來實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，以滿足市場對高性能半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
這批200毫米SiC器件旨在為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。隨著電動汽車和清潔能源需求的快速增長，SiC半導體的市場前景被廣泛看好。英飛凌的200毫米SiC產(chǎn)品不僅有助于滿足客戶對高性能產(chǎn)品的需求，還將推動整個產(chǎn)業(yè)鏈向更高效、更環(huán)保的方向發(fā)展。
英飛凌一直致力于通過技術創(chuàng)新推動綠色能源的普及與應用。此次200毫米SiC產(chǎn)品的推出，是公司長期技術發(fā)展戰(zhàn)略中的重要一步。作為功率半導體領域的全球領導者，英飛凌通過推出200毫米SiC產(chǎn)品，進一步鞏固了其在整個功率半導體領域（包括硅、SiC和GaN）的技術領導地位。
綜上所述，英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件是其技術發(fā)展和市場拓展的重要里程碑。這一舉措不僅有助于滿足客戶對高性能產(chǎn)品的需求，還將推動整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈向更高效、更環(huán)保的方向發(fā)展。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
