頂點(diǎn)光電子商城2025年4月2日消息：美光科技宣布其專為英偉達(dá)新一代AI芯片設(shè)計(jì)的HBM3E及SOCAMM內(nèi)存解決方案已量產(chǎn)出貨，這一突破性進(jìn)展不僅標(biāo)志著高性能存儲(chǔ)技術(shù)的重大升級，更將對AI計(jì)算、數(shù)據(jù)中心及半導(dǎo)體行業(yè)生態(tài)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
HBM3E技術(shù)提供超過9.2 Gb/s的引腳速度和1.2 TB/s的內(nèi)存帶寬，專為AI加速器、超算及數(shù)據(jù)中心優(yōu)化，支持大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練與推理任務(wù)。相比前代產(chǎn)品，功耗降低約30%，顯著削減數(shù)據(jù)中心運(yùn)營成本，同時(shí)保持最大吞吐量。單顆容量達(dá)24GB，支持多顆堆疊擴(kuò)展，滿足AI工作負(fù)載的爆發(fā)式增長需求。
SOCAMM模組化內(nèi)存配備694個(gè)I/O端口，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存模塊的帶寬能力，徹底打破處理器與內(nèi)存間的數(shù)據(jù)瓶頸。采用LPDDR5X技術(shù)，功耗僅為標(biāo)準(zhǔn)DDR5 RDIMM的三分之一，支持液冷服務(wù)器設(shè)計(jì)，提升散熱效率。四組16層堆疊LPDDR5X內(nèi)存實(shí)現(xiàn)128GB模組，支持ECC糾錯(cuò)和模塊化升級，延長設(shè)備生命周期。
美光成為全球唯一同時(shí)量產(chǎn)HBM3E和SOCAMM的廠商，與英偉達(dá)的深度合作（如GB300 Grace Blackwell Ultra超級芯片定制）進(jìn)一步強(qiáng)化供應(yīng)鏈壁壘。
HBM3E的高帶寬與低延遲特性將優(yōu)化GPU與內(nèi)存間的數(shù)據(jù)傳輸，支持更復(fù)雜AI模型的實(shí)時(shí)推理。SOCAMM的低功耗設(shè)計(jì)契合綠色數(shù)據(jù)中心趨勢，降低TCO（總體擁有成本）。
應(yīng)用場景方面，低功耗SOCAMM模組可能下探至自動(dòng)駕駛、工業(yè)質(zhì)檢等邊緣場景，推動(dòng)AI普惠化。HBM3E的高帶寬特性或?yàn)榱孔佑?jì)算控制單元提供支撐，打開新藍(lán)海市場。
美光此次量產(chǎn)事件不僅是存儲(chǔ)技術(shù)的里程碑，更是AI算力革命的“加速器”。隨著英偉達(dá)等廠商新一代AI芯片的落地，高性能內(nèi)存將成為智能時(shí)代的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。對于產(chǎn)業(yè)鏈參與者而言，把握HBM3E與LPDDR5X的技術(shù)趨勢，深化與頭部廠商的合作，將是搶占AI紅利的核心策略。
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