頂點(diǎn)光電子商城2025年4月7日消息：近日，創(chuàng)意電子（GUC）宣布成功投片全球首款HBM4 IP，采用臺積電（TSMC）最先進(jìn)的N3P制程和CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)，標(biāo)志著HBM（高帶寬存儲器）技術(shù)進(jìn)入新階段。
HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，相比HBM3提升2.5倍帶寬，同時功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在各類CoWoS技術(shù)下穩(wěn)定運(yùn)行。整合以色列proteanTecs的互連監(jiān)測電路，提供HBM聯(lián)機(jī)信號的可觀測性，提升可靠性和能效。
臺積電的3nm增強(qiáng)版（N3P）提供更高的晶體管密度和能效，適用于高性能計(jì)算（HPC）和AI芯片。CoWoS-R封裝采用硅中介層（interposer）技術(shù)，優(yōu)化多芯片集成，適用于HBM4與邏輯芯片的高效連接。
創(chuàng)意電子成為全球首家完成HBM4控制器與PHY IP投片的公司，鞏固其在2.5D/3D IP市場的領(lǐng)先地位。HBM4的高帶寬和低功耗特性使其成為AI加速器、數(shù)據(jù)中心GPU的關(guān)鍵組件。此前有消息稱，創(chuàng)意電子可能參與SK海力士的HBM4芯片設(shè)計(jì)，進(jìn)一步拓展HBM市場。
創(chuàng)意電子計(jì)劃整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，提供完整的2.5D/3D解決方案，滿足AI、HPC等高性能計(jì)算需求。隨著HBM4的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)將推動下一代數(shù)據(jù)中心和AI芯片的性能飛躍。
此次突破不僅展示了創(chuàng)意電子在先進(jìn)IP設(shè)計(jì)上的實(shí)力，也凸顯了臺積電在先進(jìn)制程和封裝技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢，為未來HBM4的商用化鋪平道路。
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