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美國研發(fā)團隊成功研制新型三維光電子芯片

         頂點光電子商城2025年4月9日消息:近日,美國哥倫比亞大學與康奈爾大學的聯(lián)合研究團隊近期成功研制出一款新型三維光電子芯片,該芯片在數(shù)據(jù)傳輸能效和帶寬密度方面實現(xiàn)了重大突破,有望推動下一代人工智能(AI)硬件的發(fā)展。


        該芯片實現(xiàn)了 800Gb/s 的超高數(shù)據(jù)傳輸帶寬,同時每比特僅消耗 120 飛焦耳(fJ/bit) 的能量,能效遠超現(xiàn)有技術。其帶寬密度高達 5.3 Tb/s/mm2,顯著超越當前行業(yè)標準。


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         通過深度融合光子技術與互補金屬氧化物半導體(CMOS)電子技術,該芯片在僅 0.3 平方毫米的面積上集成了 80 個高密度光子發(fā)射器和接收器。這種設計不僅提升了數(shù)據(jù)傳輸效率,還大幅降低了能耗,突破了傳統(tǒng)電子芯片的能源瓶頸。


        該芯片的架構與現(xiàn)有半導體制造工藝高度兼容,具備大規(guī)模量產潛力,有利于未來商業(yè)化應用。


          該技術可顯著提升AI計算系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸效率,降低能耗,適用于大規(guī)模AI模型、智能汽車、分布式AI計算等領域。光子通信的低能耗、高帶寬特性可減少計算節(jié)點間的延遲,推動更高效的數(shù)據(jù)中心和云計算架構。這項突破可能為量子計算、高性能計算(HPC)等前沿領域提供新的硬件支持。