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       頂點(diǎn)光電子商城2025年4月24日消息：近日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN? G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

        核心優(yōu)勢(shì)有：通過(guò)減少死區(qū)損耗，CoolGaN? G5晶體管有效降低了功率損耗，提高了整體系統(tǒng)效率，尤其在硬開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出。集成肖特基二極管的設(shè)計(jì)消除了對(duì)外部二極管的需求，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量和PCB面積。新型晶體管降低了反向傳導(dǎo)損耗，能夠與更多高邊柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，且控制器兼容性更廣，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。適用于服務(wù)器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。

         首款集成肖特基二極管的GaN晶體管采用3 x 5 mm PQFN封裝，規(guī)格為100 V / 1.5 mΩ。在硬開關(guān)應(yīng)用中，GaN器件的有效體二極管電壓（VSD）較大，可能導(dǎo)致功率損耗增加。CoolGaN? G5通過(guò)集成肖特基二極管，顯著緩解了這一問(wèn)題，尤其適用于控制器死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)的情況。由于GaN晶體管缺乏體二極管，其反向傳導(dǎo)電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關(guān)斷態(tài)下的柵極偏置偏壓（VGS）。CoolGaN? G5通過(guò)集成設(shè)計(jì)，降低了反向傳導(dǎo)損耗，提升了系統(tǒng)性能。

        英飛凌此次推出的CoolGaN? G5晶體管體現(xiàn)了公司在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，進(jìn)一步推動(dòng)了GaN技術(shù)在工業(yè)功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。隨著GaN技術(shù)在功率設(shè)計(jì)中的廣泛應(yīng)用，客戶對(duì)更高效率和更簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的需求不斷增加。CoolGaN? G5晶體管的推出正是為了滿足這些需求，體現(xiàn)了英飛凌以客戶為中心的創(chuàng)新理念。

       英飛凌中壓GaN產(chǎn)品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術(shù)在功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用日益廣泛，英飛凌將繼續(xù)致力于改進(jìn)和提升這項(xiàng)技術(shù)，以滿足客戶不斷變化的需求。CoolGaN? G5晶體管的推出是英飛凌推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展的重要一步?！?/span>

         此次發(fā)布的CoolGaN? G5中壓晶體管標(biāo)志著英飛凌在氮化鎵功率器件領(lǐng)域的又一重大突破，將為工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)更高的效率和更簡(jiǎn)單的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，助力推動(dòng)綠色低碳和數(shù)字化轉(zhuǎn)型。