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        擴(kuò)大SiC襯底尺寸既能增加產(chǎn)能供給，又能進(jìn)一步降低SiC器件的平均成本，因此，當(dāng)下，全球正積極逐鹿8英寸市場(chǎng)。

        近日，廈門(mén)大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質(zhì)外延生長(zhǎng)，成為國(guó)內(nèi)首家擁有并實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)技術(shù)的機(jī)構(gòu)。

        以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生產(chǎn)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，目前在已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。

         SiC廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)主逆變器（Inverter）、車(chē)載充電單元（OBC）及DC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

        廈門(mén)大學(xué)長(zhǎng)期致力于III族氮化物、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體的研究，多年來(lái)不斷促進(jìn)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，為產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)了大批的創(chuàng)新人才。

         本次突破，標(biāo)志著我國(guó)已掌握8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)的相關(guān)技術(shù)。該技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，是廈門(mén)大學(xué)與瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，將為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力，同時(shí)推動(dòng)新能源等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。