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           頂點(diǎn)光電子商城2024年8月29日消息：近日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。

          采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝，展現(xiàn)了SK海力士在超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。通過(guò)優(yōu)化EUV（極紫外光刻）適用工藝并開發(fā)新材料，確保了成本競(jìng)爭(zhēng)力和生產(chǎn)率的提升（與前一代1b工藝相比，生產(chǎn)率提高了30%以上）。運(yùn)行速度達(dá)到8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代產(chǎn)品相比速度提高了11%。能效也提高了9%以上，有助于降低數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景的能耗。

           在應(yīng)用前景方面，主要面向高性能數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，隨著AI時(shí)代的到來(lái)和數(shù)據(jù)量的激增，該產(chǎn)品將滿足市場(chǎng)對(duì)更高速度、更高能效存儲(chǔ)解決方案的需求。

           SK海力士計(jì)劃年內(nèi)完成該產(chǎn)品的量產(chǎn)準(zhǔn)備，并從明年開始供應(yīng)市場(chǎng)，這將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

           此次成功開發(fā)不僅展示了SK海力士在DRAM制造工藝上的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)行業(yè)樹立了新的技術(shù)標(biāo)桿。通過(guò)提高生產(chǎn)率和能效，SK海力士有望為客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)解決方案，促進(jìn)數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)的可持續(xù)發(fā)展。

           SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM，是半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的一次重要里程碑。該產(chǎn)品在制造工藝、性能提升和應(yīng)用前景等方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，將有力推動(dòng)數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)的發(fā)展，并為SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的持續(xù)領(lǐng)先奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。