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           頂點(diǎn)光電子商城2024年8月29日消息：近日，位于美國(guó)亞利桑那州斯科茨代爾的智能電源與傳感技術(shù)公司onsemi發(fā)布了其最新一代硅和碳化硅（SiC）混合功率集成模塊（PIM），采用F5BP封裝，旨在提高公用事業(yè)級(jí)太陽(yáng)能串式逆變器或能源儲(chǔ)存系統(tǒng)（ESS）的輸出功率。

            該產(chǎn)品是采用F5BP封裝的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模塊（PIM），硅與碳化硅混合解決方案，集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管，非常適合用于提高大型太陽(yáng)能組串式逆變器或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）的功率。

         與前幾代產(chǎn)品相比，這些模塊在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率。將太陽(yáng)能逆變器的總系統(tǒng)功率從300 kW提高到350 kW，意味著使用最新一代模塊的裝機(jī)容量為一千兆瓦的大型太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)，每小時(shí)可實(shí)現(xiàn)近兩兆瓦的節(jié)能效果，相當(dāng)于每年為超過(guò)700戶家庭供電。要達(dá)到與上一代產(chǎn)品相同的功率，所需的模塊數(shù)量更少，可將功率器件的元器件成本降低25%以上。

         FS7 IGBT關(guān)斷損耗低，可將開關(guān)損耗降低達(dá)8%。EliteSiC二極管提供了卓越的開關(guān)性能，與前幾代產(chǎn)品相比，導(dǎo)通壓降（VF）降低了15%。PIM包含了一種創(chuàng)新的I型中點(diǎn)箝位（INPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器模塊和飛跨電容拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的升壓模塊。使用了優(yōu)化的電氣布局和先進(jìn)的直接銅鍵合（DBC）基板，以降低雜散電感和熱阻，銅基板進(jìn)一步將結(jié)到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保模塊在重載下保持冷卻。

          由于太陽(yáng)能發(fā)電的平準(zhǔn)化能源成本（LCOE）最低，太陽(yáng)能正日益成為全球可再生能源發(fā)電的首選。安森美的這一發(fā)布將進(jìn)一步推動(dòng)太陽(yáng)能發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)的發(fā)展。為了彌補(bǔ)太陽(yáng)能發(fā)電的不穩(wěn)定性，公用事業(yè)運(yùn)營(yíng)商正在增設(shè)大型電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS），以確保電網(wǎng)的穩(wěn)定供能。安森美的PIM為此類系統(tǒng)提供了高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案。

           隨著電動(dòng)汽車（EV）和可再生能源市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，對(duì)高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案的需求也在不斷增加。安森美的最新一代PIM有望在這些領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。安森美作為智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，將持續(xù)推出創(chuàng)新產(chǎn)品，以滿足不斷變化的市場(chǎng)需求。

           總之，onsemi發(fā)布的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模塊（PIM）在提高功率密度、降低成本、提升系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，將有力推動(dòng)太陽(yáng)能發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)的發(fā)展。