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         頂點(diǎn)光電子商城2025年3月20日消息：近日，在GTC 2025大會(huì)上，美光公布了自家的SOCAMM內(nèi)存模塊，將用于英偉達(dá)最新發(fā)布的Blackwell Ultra GB300產(chǎn)品線。

          SOCAMM并非傳統(tǒng)內(nèi)存條的簡(jiǎn)單升級(jí)，而是將HBM3（高帶寬內(nèi)存）與AI加速單元集成于同一基板，形成“存算一體”的革新架構(gòu)。其核心技術(shù)亮點(diǎn)包括：通過12層HBM3堆疊，單模塊帶寬較上一代提升3倍，足以支撐萬億參數(shù)模型實(shí)時(shí)訓(xùn)練；采用美光獨(dú)有的低功耗電路設(shè)計(jì)，在滿載運(yùn)行時(shí)功耗降低至225W，顯著低于同類方案；內(nèi)置硬件級(jí)數(shù)據(jù)調(diào)度器，自動(dòng)優(yōu)化張量傳輸路徑，減少GPU閑置等待時(shí)間。

          英偉達(dá)GB300系列作為面向AI數(shù)據(jù)中心的旗艦產(chǎn)品線，對(duì)內(nèi)存子系統(tǒng)提出三大極限需求：需容納百萬級(jí)上下文長(zhǎng)度的LLM（大語言模型）參數(shù)；自動(dòng)駕駛等場(chǎng)景要求響應(yīng)延遲低于1ms；企業(yè)級(jí)訓(xùn)練任務(wù)需保持99%以上的GPU利用率。

          SOCAMM通過NVLink-C2C直連技術(shù)與GB300 GPU核心互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)存帶寬的“零損耗”傳輸。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在ResNet-50訓(xùn)練任務(wù)中，GB300系統(tǒng)吞吐量提升2.7倍，推理能效比達(dá)15.8 TOPS/W。

           此次合作暴露了AI芯片競(jìng)爭(zhēng)的下一戰(zhàn)場(chǎng)——內(nèi)存架構(gòu)創(chuàng)新。傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)下，數(shù)據(jù)在內(nèi)存與計(jì)算單元間的“搬運(yùn)”已成為算力瓶頸。SOCAMM的存算融合設(shè)計(jì)，為突破“內(nèi)存墻”提供了新思路。