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        頂點(diǎn)光電子商城2025年3月25日消息：燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司近日宣布推出 DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP，該IP基于 28HKD 0.9V/2.5V 工藝平臺(tái)，具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持 DDR3、DDR3L、DDR4、LPDDR3 和 LPDDR4 等多種內(nèi)存協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá) 2667Mbps，并支持 X16/X32/X64 等多種數(shù)據(jù)位寬配置。  

        該IP集成了高性能 DDR PHY 和靈活可配置的 Controller，支持 ECC（錯(cuò)誤校正碼） 和 低功耗掉電模式。  兼容市場(chǎng)上主流 DDR DRAM 顆粒，確保設(shè)計(jì)的靈活性和兼容性。  采用 28HKD 工藝，優(yōu)化了功耗表現(xiàn)，適用于 IoT、移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和存儲(chǔ)設(shè)備 等領(lǐng)域。  已通過(guò) 流片驗(yàn)證，各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。  

        在應(yīng)用場(chǎng)景方面，該IP適用于 5G 基站、AI 加速卡、智能終端 等需要 高速數(shù)據(jù)傳輸 和 低功耗 的場(chǎng)景。  

          燦芯半導(dǎo)體此次推出的 DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP 進(jìn)一步豐富了其 28HKD 工藝 IP 庫(kù)，為芯片設(shè)計(jì)公司提供了更靈活的 DDR 接口解決方案，有助于縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。  該IP的推出標(biāo)志著燦芯半導(dǎo)體在 高性能內(nèi)存接口IP 領(lǐng)域的技術(shù)積累，未來(lái)公司計(jì)劃在 28HKD 工藝 上推出更多優(yōu)質(zhì)IP。